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MBR860	文件：151.45 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierRectifierReverseVoltage40to200VForwardCurrent8.0A ReverseVoltage40to200V ForwardCurrent8.0A Features •LowPowerLoss，HighEfficiency •LowForwardVoltageDrop •HighCurrentCapability •LeadandbodyaccordingwithRoHSstandard	DACHANGRugao Dachang Electronics Co., Ltd 大昌电子如皋市大昌电子有限公司	DACHANG
MBR860	文件：428.69 Kbytes Page：2 Pages	8.0ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionfor TransientProtection ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCapability ●HighCurrentCapabilityandLowForward VoltageDrop ●ForUseinLowVoltage,HighFrequency Inverters,FreeWheeling,andPolarity	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR860	文件：348.52 Kbytes Page：7 Pages	ProductSpecification Construction::SchottkyBarrierRectifier Application:ForGeneralPurpose	Good-Ark GOOD-ARK Electronics	Good-Ark
MBR860	文件：585.95 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER ReverseVoltage-20to100VoltsForwardCurrent-8.0Amperes FEATURES ♦TheplasticpackagecarriesUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 ♦Constructionutilizesvoid-freemoldedplastictechnique ♦Lowreverseleakage ♦Highforwardsurgecurrentcapability ♦High	CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd. 辰达半导体深圳辰达半导体有限公司	CHENDA
MBR860	文件：789.57 Kbytes Page：2 Pages	GuardRingDieConstructionforTransientProtection Features ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionfor TransientProtection ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCapability ●HighCurrentCapabilityandLowForward VoltageDrop ●ForUseinLowVoltage,HighFrequency Inverters,FreeWheeling,andPolarity	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR860	文件：789.51 Kbytes Page：2 Pages	GuardRingDieConstructionforTransientProtection Features ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionfor TransientProtection ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCapability ●HighCurrentCapabilityandLowForward VoltageDrop ●ForUseinLowVoltage,HighFrequency Inverters,FreeWheeling,andPolarity	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR860	文件：429.09 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierChip Features ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionfor TransientProtection ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCapability ●HighCurrentCapabilityandLowForward VoltageDrop ●ForUseinLowVoltage,HighFrequency Inverters,FreeWheeling,andPolarity	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR860	文件：234.78 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierRectifiers VOLTAGERANGE:30-100VCURRENT:8.0A Features ◇Highsurgecapacity. ◇Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewheeling,andpolarityprotectionapplications. ◇Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction. ◇Highcurrentcapacity,lowforwardvoltagedrop. ◇Thepl	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
MBR860	文件：151.45 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierRectifier	DACHANGRugao Dachang Electronics Co., Ltd 大昌电子如皋市大昌电子有限公司	DACHANG
MBR860	文件：90.38 Kbytes Page：2 Pages	HighTjmLowIRRMSchottkyBarrierDiodes	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司	SIRECTIFIER

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