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IMT65R163M1H中文资料采用 TOLL 封装的 CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 650 V数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IMT65R163M1H

参数属性

IMT65R163M1H 封装/外壳为8-PowerSFN;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:SILICON CARBIDE MOSFET

功能描述

采用 TOLL 封装的 CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 650 V
SILICON CARBIDE MOSFET

封装外壳

8-PowerSFN

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-11-16 17:10:00

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IMT65R163M1H规格书详情

特性 Features


优势:
• Enable high system power density and high switching operations
• Enable cheaper and faster SMD assembly
• Ease of use and compatibility with existing vendors
• Reduced switching losses
• Lower case temperature and higher reliability
• Enables easy design-in with complementing Infineon products like CoolMOS™ and CoolGaN™

应用 Application

• Datacenter Power
• Telecom power
• Industrial SMPS
• Motor drives
• Home appliances

简介

IMT65R163M1H属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由Infineon制造生产的IMT65R163M1H晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    IMT65R163M1HXUMA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

  • 系列:

    CoolSiC™

  • 包装:

    管件

  • 技术:

    SiC(碳化硅结晶体管)

  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):

    18V

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 供应商器件封装:

    PG-HSOF-8-1

  • 封装/外壳:

    8-PowerSFN

  • 描述:

    SILICON CARBIDE MOSFET

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