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IMT65R039M1H中文资料采用 TOLL 封装的 CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 650 V数据手册Infineon规格书

| 厂商型号 |
IMT65R039M1H |
| 参数属性 | IMT65R039M1H 封装/外壳为8-PowerSFN;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:SILICON CARBIDE MOSFET |
| 功能描述 | 采用 TOLL 封装的 CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 650 V |
| 封装外壳 | 8-PowerSFN |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-16 13:52:00 |
| 人工找货 | IMT65R039M1H价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
IMT65R039M1H规格书详情
特性 Features
优势:
• Enable high system power density and high switching operations
• Enable cheaper and faster SMD assembly
• Ease of use and compatibility with existing vendors
• Reduced switching losses
• Lower case temperature and higher reliability
• Enables easy design-in with complementing Infineon products like CoolMOS™ and CoolGaN™
应用 Application
• Datacenter Power
• Telecom power
• Solar Inverters
• Energy storage systems
• Battery formation
• Industrial SMPS
• Motor drives
• Online UPS
简介
IMT65R039M1H属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由Infineon制造生产的IMT65R039M1H晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。
技术参数
更多- 产品编号:
IMT65R039M1HXUMA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 系列:
CoolSiC™
- 包装:
管件
- 技术:
SiC(碳化硅结晶体管)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
18V
- 安装类型:
表面贴装型
- 供应商器件封装:
PG-HSOF-8-1
- 封装/外壳:
8-PowerSFN
- 描述:
SILICON CARBIDE MOSFET
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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