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IMT65R072M1H 分立半导体产品晶体管 - FET,MOSFET - 单个 INFINEON/英飞凌

图片仅供参考,请参阅产品规格书

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1+
  • 厂家型号:

    IMT65R072M1H

  • 产品分类:

    芯片

  • 生产厂商:

    INFINEON/英飞凌

  • 库存数量:

    15500

  • 产品封装:

    PG-HSOF-8

  • 生产批号:

    23+

  • 库存类型:

    常用库存

  • 更新时间:

    2024-5-22 17:23:00

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  • 规格书下载

原厂料号:IMT65R072M1H品牌:Infineon

英飞凌优势渠道全系列在售

IMT65R072M1H是分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个。制造商Infineon/Infineon Technologies生产封装PG-HSOF-8/8-PowerSFN的IMT65R072M1H晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

  • 芯片型号:

    IMT65R072M1H

  • 规格书:

    下载

  • 企业简称:

    INFINEON【英飞凌】详情

  • 厂商全称:

    Infineon Technologies AG

  • 中文名称:

    英飞凌科技公司

  • 内容页数:

    15 页

  • 文件大小:

    1460.66 kb

  • 资料说明:

    MOSFET 650 V CoolSiCª M1 SiC Trench Power Device

产品属性

  • 类型

    描述

  • 产品编号:

    IMT65R072M1HXUMA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

  • 系列:

    CoolSiC™

  • 包装:

    管件

  • 技术:

    SiC(碳化硅结晶体管)

  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):

    18V

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 供应商器件封装:

    PG-HSOF-8-1

  • 封装/外壳:

    8-PowerSFN

  • 描述:

    SILICON CARBIDE MOSFET

供应商

  • 企业:

    深圳市星辰微电科技有限公司

  • 商铺:

    进入商铺

  • 联系人:

    吴先生

  • 手机:

    17375148621

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    0755-82713279

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