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IMT40R015M2H中文资料CoolSiC ™ MOSFET 400 V G2，采用 TOLL（PG-HSOF-8）封装，15 mΩ数据手册Infineon规格书
IMT40R015M2H规格书详情
特性 Features
• 与 650 V SiC MOSFET 相比，FOM 更佳
• 具有低 Qfr
的快速换向稳健二极管
• 低 RDS(on) 温度依赖性
• 栅极阈值电压，VGS(th) = 4.5 V
• 支持单极驱动 (VGSoff=0)
• 100% 雪崩测试
• 开关速度可控性高
• 高 dV/dt 操作期间过冲较低
• .XT互连技术
• 一流的热性能
应用 Application
• 音频放大器解决方案
技术参数
- 制造商编号
：IMT40R015M2H
- 生产厂家
：Infineon
- RDS (on)(@ Tj = 25°C)
：15 mΩ
- RthJCmax
：0.44 K/W
- VDSmax
：400 V
- Package
：PG-HSOF-8
- Operating Temperature
：-55 °C to 175 °C
- Technology
：CoolSiC™ G2
- Polarity
：N
- Qualification
：Industrial
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RH |
23+ |
65480 |
询价 | ||||
Infineon/英飞凌 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
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询价 | ||
ROHM/罗姆 |
24+ |
SOT23-6 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
ROHM/罗姆 |
24+ |
65200 |
询价 | ||||
DIODESINC |
24+ |
NA |
4500 |
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询价 | ||
N/A |
2447 |
SMD |
100500 |
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询价 | ||
Diodes Inc |
2022+ |
原厂原包装 |
8600 |
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询价 | ||
SOT-163 |
23+ |
NA |
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询价 | ||
DIODES/美台 |
24+ |
NA/ |
450 |
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询价 | ||
ROHM |
06+ |
原厂原装 |
6245 |
只做全新原装真实现货供应 |
询价 |
