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IMBG65R083M1H分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
IMBG65R083M1H |
| 参数属性 | IMBG65R083M1H 包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单个；产品描述：SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263- |
| 功能描述 | 650 V CoolSiC짧 M1 SiC Trench Power Device |
| 文件大小 |
1.53953 Mbytes |
| 页面数量 |
15 页 |
| 生产厂商 | Infineon Technologies AG |
| 企业简称 |
Infineon【英飞凌】 |
| 中文名称 | 英飞凌科技公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-6-16 17:30:00 |
IMBG65R083M1H规格书详情
IMBG65R083M1H属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单个。英飞凌科技公司制造生产的IMBG65R083M1H晶体管 - FET，MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。
产品属性
- 产品编号：
IMBG65R083M1HXTMA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 描述：
SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
20+ |
- |
1000 |
询价 | |||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | |||
Infineon |
24+ |
PG-TO263-7 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
N/A |
60000 |
进口原装正品 |
询价 | ||
Infineon |
22+/23+ |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | ||
INFINEON |
2 |
询价 | |||||
Infineon Technologies |
23+ |
SMD |
3652 |
原厂正品现货供应SIC全系列 |
询价 | ||
Infineon |
23+ |
PG-TO263-7 |
15500 |
英飞凌优势渠道全系列在售 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
NA |
300 |
MOSFET |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
NA |
150 |
现货!就到京北通宇商城 |
询价 |
