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IRFP064	文件：1.69898 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP064	文件：444.72 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP064	文件：1.72153 Mbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP064	文件：931.38 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Ultralowon-resistance •Verylowthermalresistance •Isolatedcentralmountinghole •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?9991	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP064N	文件：107.54 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=0.008ohm,Id=110A?? FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesigne	IRF International Rectifier	IRF
IRFP064N	文件：727.96 Kbytes Page：8 Pages	AdvancedProcessTechnology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFP064N	文件：355.64 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP064N	文件：612.848 Kbytes Page：9 Pages	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：55V连续漏极电流(Id)：110A功率(Pd)：200W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8mΩ@10V,59AN沟道,55V,110A,8mΩ@10V	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 PDF上传者：深圳市亚泰盈科电子有限公司	Infineon
IRFP064N	文件：367.52 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelMOSFET Description TheTO-247packageispreferredforcommercial-industrial applicationswherehigherpowerlevelsprecludetheuseof TO-220devices.TheTO-247issimilarbutsuperiortothe earlierTO-218packagebecauseofitsisolatedmounting hole. AdvancedProcessTechnology UltraLow	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
IRFP064NPBF	文件：2.55214 Mbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF

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深圳市安富世纪电子有限公司	IM067	FDK	23+	SMD	1500	全新原装正品现货,支持订货	询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	IM0680R	原厂	23+	TO3P-5	5000	原装正品,假一罚十	询价

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