IKY75N120CS6中文资料1200 V、75 A IGBT，带反并联二极管，采用 TO-247 PLUS 封装数据手册Infineon规格书

描述 Description

硬开关 1200 V、75 A 高速 TRENCHSTOP ™ IGBT6 采用 TO-247PLUS 4 引脚封装，并与非常柔软且快速恢复的全电流反并联二极管共同封装，以满足市场对小型分立封装中高效率和高电流密度的要求。

特性 Features

• 高效硬开关

• 高效谐振拓扑

• 易于并联

• 正温度。系数 VCEsat

• 低 EMI

• 低栅极电荷 QG

• 非常柔软、快速恢复二极管

• 高耐用性

• 非常紧密的参数分布

• 高功率密度

• 低饱和电压*

• *如果 1.85 V 且低开关损耗

应用 Application

• 电动汽车充电

简介

IKY75N120CS6属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IKY75N120CS6晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。