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IKW40N60H3分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IKW40N60H3
厂商型号

IKW40N60H3

参数属性

IKW40N60H3 封装/外壳为TO-247-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3

功能描述

High speed switching series third generation
IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3

丝印标识

K40H603

封装外壳

PG-TO247-3 / TO-247-3

文件大小

2.18049 Mbytes

页面数量

16

生产厂商 Infineon Technologies AG
企业简称

INFINEON英飞凌

中文名称

英飞凌科技股份公司官网

原厂标识
INFINEON
数据手册

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更新时间

2025-8-3 23:22:00

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IKW40N60H3规格书详情

IKW40N60H3属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由英飞凌科技股份公司制造生产的IKW40N60H3晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    IKW40N60H3FKSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    TrenchStop®

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.4V @ 15V,40A

  • 开关能量:

    1.68mJ

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    19ns/197ns

  • 测试条件:

    400V,40A,7.9 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    PG-TO247-3-1

  • 描述:

    IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3

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