IKW15T120 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 INFINEON/英飞凌

图片仅供参考，请参阅产品规格书

订购数量	价格
1+	面议

厂家型号：
IKW15T120
产品分类：
芯片
生产厂商：
INFINEON/英飞凌
库存数量：
12890
产品封装：
TO-247
生产批号：
1410+ROHS全新原装
库存类型：
优势库存
更新时间：
2024-4-27 13:40:00

数据手册更多货源

详细信息
规格书下载

原厂料号：IKW15T120品牌：INFINEON

原装现货在线咨询样品※技术支持专业电子元器件授权

IKW15T120是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商INFINEON/Infineon Technologies生产封装TO-247/TO-247-3的IKW15T120晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

芯片型号：
IKW15T120
规格书：
下载下载2
企业简称：
INFINEON【英飞凌】详情
厂商全称：
Infineon Technologies AG
中文名称：
英飞凌科技公司
内容页数：
15 页
文件大小：
450 kb
资料说明：
LOW LOSS DUOPACK : IGBT IN TRENCH AND FIELDSTOP TECHNOLOGY WITH SOFT, FAST RECOVERY ANTI-PARALLEL EMCON HE DIODE

产品属性

类型
描述
产品编号：
IKW15T120FKSA1
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
TrenchStop®
包装：
管件
IGBT 类型：
NPT，沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.2V @ 15V，15A
开关能量：
2.7mJ
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
50ns/520ns
测试条件：
600V，15A，56 欧姆，15V
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
PG-TO247-3-1
描述：
IGBT 1200V 30A 110W TO247-3

供应商

企业：
深圳市正纳电子有限公司
商铺：
进入商铺
联系人：
苏s
手机：
13530813522
询价：
电话：
0755-83532193/13530813522
传真：
0755-83200684
地址：
广东省深圳市福田区振兴路113号新欣大厦B座318

IKW15T120 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 INFINEON/英飞凌

IKW15T120

产品属性

供应商

相关型号

相近型号