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MCU04N60

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

MHF04N60CT

SiliconN-ChannelPowerMOSFET

CITCChip Integration Technology Corporation

竹懋科技竹懋科技股份有限公司

MHU04N60

SiliconN-ChannelPowerMOSFET

CITCChip Integration Technology Corporation

竹懋科技竹懋科技股份有限公司

NDD04N60Z

N-ChannelPowerMOSFET1.8,600Volts

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NDD04N60ZG

N-ChannelPowerMOSFET1.8,600Volts

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NDD04N60ZG

PowerMOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

NDF04N60Z

PowerMOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

NDF04N60Z

N-ChannelPowerMOSFET1.8,600Volts

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

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N-ChannelPowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NDF04N60Z

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=4.8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.0Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

详细参数

  • 型号:

    IKI04N60T

  • 功能描述:

    IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压:

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压:

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流:

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封装/箱体:

    TO-247

  • 封装:

    Tube

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更多IKI04N60T供应商 更新时间2025-7-22 15:31:00