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MCU04N60	文件：467.46 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MHF04N60CT	文件：1.33955 Mbytes Page：10 Pages	SiliconN-ChannelPowerMOSFET	CITCChip Integration Technology Corporation 竹懋科技竹懋科技股份有限公司	CITC
MHU04N60	文件：987.45 Kbytes Page：10 Pages	SiliconN-ChannelPowerMOSFET	CITCChip Integration Technology Corporation 竹懋科技竹懋科技股份有限公司	CITC
NDD04N60Z	文件：156.95 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelPowerMOSFET1.8,600Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NDD04N60ZG	文件：156.95 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelPowerMOSFET1.8,600Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NDD04N60ZG	文件：1.0762 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NDF04N60Z	文件：1.03656 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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NDF04N60Z	文件：144.32 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NDF04N60Z	文件：319.47 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=4.8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.0Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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详细参数

型号：
IKI04N60T
功能描述：
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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