IKD10N60R 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 INFINEON/英飞凌

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1+	面议

厂家型号：
IKD10N60R
产品分类：
芯片
生产厂商：
INFINEON/英飞凌
库存数量：
5000
产品封装：
N/A
生产批号：
24+
库存类型：
优势库存
更新时间：
2024-5-29 10:45:00

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详细信息
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原厂料号：IKD10N60R品牌：Infineon

代理渠道/只做原装/可含税

IKD10N60R是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商Infineon/Infineon Technologies生产封装N/A/TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63的IKD10N60R晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

芯片型号：
IKD10N60R
规格书：
下载下载2
企业简称：
INFINEON【英飞凌】详情
厂商全称：
Infineon Technologies AG
中文名称：
英飞凌科技公司
内容页数：
16 页
文件大小：
886.12 kb
资料说明：
?쏳C-D Fast?? RC-Drives IGBT optimized for high switching frequency

产品属性

类型
描述
产品编号：
IKD10N60R
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
TrenchStop®
包装：
管件
IGBT 类型：
沟道
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，10A
开关能量：
590µJ
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
14ns/192ns
测试条件：
400V，10A，23 欧姆，15V
工作温度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
PG-TO252-3-11
描述：
IGBT 600V 20A 150W TO252-3

供应商

企业：
深圳市宝泰利科技有限公司
商铺：
进入商铺
联系人：
李先生
手机：
13714272445
询价：
电话：
13714272445
地址：
深圳市福田区华强北街道华匀1栋432

IKD10N60R 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 INFINEON/英飞凌

IKD10N60R

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