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NDP03N60Z	文件：372.34 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=3.0A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.6Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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详细参数

型号：
IKD03N60RFA
制造商：
Infineon Technologies AG
功能描述：
IGBT PRODUCTS - Tape and Reel
功能描述：
IGBT w/ INTG DIODE 600V 5A

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更多IKD03N60RFA供应商更新时间2025-7-23 15:01:00

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