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RFL1N15L	文件：31 Kbytes Page：4 Pages	1A,120Vand150V,1.900Ohm,LogicLevel,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsspecificallydesignedforusewithlogiclevel(5V)drivingsourcesinapplicationssuchasprogrammablecontrollers,automotiveswitching,andsolenoiddrivers.Thisperformanceisaccomplishedthrougha	Intersil Intersil Corporation	Intersil
RT1N15BC	文件：121.13 Kbytes Page：3 Pages	TransistorWithResistorForSwitchingApplicationSiliconNPNEpitaxialType DESCRIPTION RT1N15BXisaonechiptransistorwithbuilt-inbiasresistor,PNPtypeisRT1P15BX. FEATURE ◾Built-inbiasresistor(R2=100kΩ). APPLICATION Invertedcircuit,switchingcircuit,interfacecircuit,drivercircuit.	ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation 谏早电子谏早电子株式会社	ISAHAYA
RT1N15BM	文件：121.13 Kbytes Page：3 Pages	TransistorWithResistorForSwitchingApplicationSiliconNPNEpitaxialType DESCRIPTION RT1N15BXisaonechiptransistorwithbuilt-inbiasresistor,PNPtypeisRT1P15BX. FEATURE ◾Built-inbiasresistor(R2=100kΩ). APPLICATION Invertedcircuit,switchingcircuit,interfacecircuit,drivercircuit.	ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation 谏早电子谏早电子株式会社	ISAHAYA
RT1N15BS	文件：121.13 Kbytes Page：3 Pages	TransistorWithResistorForSwitchingApplicationSiliconNPNEpitaxialType DESCRIPTION RT1N15BXisaonechiptransistorwithbuilt-inbiasresistor,PNPtypeisRT1P15BX. FEATURE ◾Built-inbiasresistor(R2=100kΩ). APPLICATION Invertedcircuit,switchingcircuit,interfacecircuit,drivercircuit.	ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation 谏早电子谏早电子株式会社	ISAHAYA
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