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IHW30N110R3	文件：2.05032 Mbytes Page：15 Pages	ReverseconductingIGBTwithmonolithicbodydiode Features: •Powerfulmonolithicbodydiodewithlowforwardvoltage designedforsoftcommutationonly •Verytightparameterdistribution •Highruggedness,temperaturestablebehavior •LowVCEsat •Easyparallelswitchingcapabilityduetopositivetemperature coefficientinVCEsat •LowEMI •QualifiedaccordingtoJEDECfo	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

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IHW30N110R3

文件：2.05032 Mbytes

Page：15 Pages

ReverseconductingIGBTwithmonolithicbodydiode

Features: •Powerfulmonolithicbodydiodewithlowforwardvoltage designedforsoftcommutationonly •Verytightparameterdistribution •Highruggedness,temperaturestablebehavior •LowVCEsat •Easyparallelswitchingcapabilityduetopositivetemperature coefficientinVCEsat •LowEMI •QualifiedaccordingtoJEDECfo

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

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更多IHW30N110R3其他被动元件供应商更新时间2024-5-27 15:20:00

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