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IHW15T120中文资料分立式IGBT数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IHW15T120

参数属性

IHW15T120 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1200V 30A 113W TO247-3

功能描述

分立式IGBT
IGBT 1200V 30A 113W TO247-3

封装外壳

TO-247-3

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-10-1 17:00:00

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IHW15T120规格书详情

特性 Features

·Best-in-class V ce(sat) and V f for outstanding efficiency
·Lowest switching losses
·Stable temperature behavior
·Soft current turn-off waveforms
·High breakthrough voltage
·Resistance to current spikes over the SOA

应用 Application

  · Induction cooking stoves
· Microwave ovens
· Rice cookers
·Multifunctional printers

简介

IHW15T120属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IHW15T120晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :IHW15T120

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Switching Frequency min max

    :8.0kHz 60.0kHz

  • Package 

    :TO-247

  • Voltage Class max

    :1200.0V

  • IC(@100°) max

    :15.0A

  • IC(@25°) max

    :30.0A

  • ICpuls max

    :45.0A

  • Ptot max

    :113.0W

  • VCE(sat) 

    :2.2V 

  • Eon 

    :2.0mJ 

  • Eoff(Hard Switching) 

    :2.1mJ 

  • td(on) 

    :50.0ns 

  • tr 

    :35.0ns 

  • td(off) 

    :600.0ns 

  • tf 

    :120.0ns 

  • QGate 

    :85.0nC 

  • IF max

    :23.0A

  • IFpuls max

    :36.0A

  • VF 

    :1.7V 

  • Qrr 

    :950.0nC 

  • Irrm 

    :13.3A 

  • VCE max

    :1200.0V

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