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IHW15N120R	文件：370.62 Kbytes Page：12 Pages	Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode Features: • Powerful monolithic Body Diode with very low forward voltage • Body diode clamps negative voltages • Trench and Fieldstop technology for 1200 V applications offers : - very tight parameter distribution - high rugg 文件：370.62 Kbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IHW15N120R	文件：201.5 Kbytes Page：10 Pages	HighSpeed 2-Technology • Designed for: - TV – Horizontal Line Deflection • 2nd generation HighSpeed-Technology for 1200V applications offers: - loss reduction in resonant circuits - temperature stable behavior - parallel switching capability - tight parameter distribution - Eoff optimized for IC =3A - simple Ga 文件：201.5 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IHW15N120R2	文件：201.5 Kbytes Page：10 Pages	HighSpeed 2-Technology • Designed for: - TV – Horizontal Line Deflection • 2nd generation HighSpeed-Technology for 1200V applications offers: - loss reduction in resonant circuits - temperature stable behavior - parallel switching capability - tight parameter distribution - Eoff optimized for IC =3A - simple Ga 文件：201.5 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IHW15N120R2	文件：365.16 Kbytes Page：12 Pages	Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode Features: • Powerful monolithic Body Diode with very low forward voltage • Body diode clamps negative voltages • Trench and Fieldstop technology for 1200 V applications offers : - very tight parameter distribution - high ruggedness, te 文件：365.16 Kbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IHW15N120R3	文件：790.34 Kbytes Page：12 Pages	Reverse conducting IGBT with monolithic body diode Features: • Powerful monolithic body diode with low forward voltage designed for soft commutation only • TRENCHSTOP™ technology applications offers: - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behavior - low VCEsat - easy parallel switching capabilit 文件：790.34 Kbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IHW15N120E1	文件：1.90384 Mbytes Page：14 Pages	Reverse conducting IGBT with monolithic body Diode for soft-switching 文件：1.90384 Mbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IHW15N120E1	文件：1.90384 Mbytes Page：14 Pages	Reverse conducting IGBT with monolithic body Diode for soft-switching 文件：1.90384 Mbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IHW15N120E1_16	文件：1.90384 Mbytes Page：14 Pages	Reverse conducting IGBT with monolithic body Diode for soft-switching 文件：1.90384 Mbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IHW15N120R3	文件：33.12 Kbytes Page：1 Pages	Material Content Data Sheet 文件：33.12 Kbytes 页数：1 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IHW15N120R3_15	文件：33.12 Kbytes Page：1 Pages	Material Content Data Sheet 文件：33.12 Kbytes 页数：1 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

产品属性

产品编号：
IHW15N120R2
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.75V @ 15V，15A
开关能量：
900µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
-/282ns
测试条件：
600V，15A，14.8 欧姆，15V
工作温度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
PG-TO247-3-1
描述：
IGBT 1200V 30A 357W TO247-3

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更多IHW15N120供应商更新时间2022-6-12 10:12:00

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