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IGW75N65H5分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
厂商型号 |
IGW75N65H5 |
参数属性 | IGW75N65H5 封装/外壳为TO-247-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT TRENCH 650V 120A TO247-3 |
功能描述 | 650V IGBT high speed series fifth generation |
封装外壳 | TO-247-3 |
文件大小 |
1.82191 Mbytes |
页面数量 |
14 页 |
生产厂商 | Infineon Technologies AG |
企业简称 |
INFINEON【英飞凌】 |
中文名称 | 英飞凌科技股份公司官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-6-28 17:35:00 |
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IGW75N65H5规格书详情
IGW75N65H5属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由英飞凌科技股份公司制造生产的IGW75N65H5晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
更多- 产品编号:
IGW75N65H5XKSA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列:
TrenchStop™
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- IGBT 类型:
沟道
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.1V @ 15V,75A
- 开关能量:
2.25mJ(开),950µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
28ns/174ns
- 测试条件:
400V,75A,8 欧姆,15V
- 工作温度:
-40°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3
- 供应商器件封装:
PG-TO247-3
- 描述:
IGBT TRENCH 650V 120A TO247-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
1932+ |
TO-247 |
236 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-TO247-3 |
25000 |
原装正品,假一赔十! |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
23+ |
PG-TO247-3 |
25630 |
原装正品 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-TO247-3 |
8000 |
只做原装,欢迎询价,量大价优 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
PG-TO247-3 |
6820 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
TO-247 |
8500 |
原厂原包原装公司现货,假一赔十,低价出售 |
询价 | ||
Infineon |
23+ |
Tray |
500 |
原装正品 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-247 |
5000 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
Infineon(英飞凌) |
2447 |
PG-TO247-3 |
315000 |
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