IGP50N60T中文资料600 V、50 A IGBT 分立器件，采用 TO-220 封装数据手册Infineon规格书

描述 Description

600 V、50 A 硬开关 TRENCHSTOP™ IGBT3，采用TO247封装并集成了全电流的续流二极管。IGBT芯片由于结合了沟槽栅和场终止概念，显著提高了其静态和动态性能。另外，沟槽栅/场终止IGBT和发射极控制二极管的结合进一步降低了其开通损耗。由于在开关损耗和导通损耗之间采取了最佳的折衷，因此可实现最高效率。

特性 Features

• 更低的 VCEsat 压降可以降低导通损耗
• 低开关损耗
• 由于 VCEsat呈现正温度系数特性，因此易于进行器件的并联应用
• 非常软且快速恢复的反并联发射极控制二极管
• 具有高鲁棒性、温度稳定的特性
• 低电磁干扰辐射
• 低栅极电荷
• 非常紧密的参数分布

优势:
• 高效率 - 得益于低导通和低开关损耗
• 600 V 和 1200 V 的全面产品组合可实现设计灵活性
• 器件可靠性高

应用 Application

• 不间断电源(UPS)
• 工业加热和焊接
• 太阳能系统解决方案
• 家用电器
• 电机控制和驱动

简介

IGP50N60T属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IGP50N60T晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。