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NDF10N62Z	文件：143.43 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMOSFET620V,0.65?	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NDP10N62Z	文件：371.88 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=620V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.75Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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更多IGP10N62T供应商更新时间2024-6-11 11:05:00