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IGLT65R055B2	文件：1.30361 Mbytes Page：17 Pages	丝印：65R055B2；Package：PG-HDSOP-16；CoolGaN™ BDS 650 V G5 CoolGaN™ Bi‑directional switch, enhancement‑mode Features •650VCoolGaN™technologywith850VSSsurgeimmunity •SuperiorruggedGateInjectionTransistor(GIT)structure •Dual‑gateforindependentbi‑directionalfunctionality •SuperiorperformanceofRSS(on)overoperatingfrequency •ReliableThermalCyclingon‑Board(TCoB)performan	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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