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IGD08N120S7数据手册Infineon中文资料规格书

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厂商型号

IGD08N120S7

功能描述

1200 V, 3 A IGBT7 S7 in TO-252-3pin package

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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IGD08N120S7规格书详情

特性 Features

• VCE = 1200 V
• IC = 8 A
• Low VCEsat = 2 V at Tvj = 150°C
• Short circuit ruggedness 8 µs
• Wide range of dv/dt controllability

优势:
• Compact design for high volt. aux-supply
• Reduced EMI min e-magnetic interference



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