IGC99T120T8RQ中文资料IGBT 裸片数据手册Infineon规格书

描述 Description

英飞凌的 HighSpeed 3 系列在 25kHz 至 70kHz 频率范围内实现了开关损耗和传导损耗之间的最佳平衡。该系列的主要特点是类似 MOSFET 的关断开关行为，从而实现较低的关断损耗。

特性 Features

• 正温度系数

• 易于并联

简介

IGC99T120T8RQ属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IGC99T120T8RQ晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。