IGC70T120T8RL数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

厂商型号	IGC70T120T8RL
参数属性	IGC70T120T8RL 封装/外壳为模具；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 1200V 75A DIE
功能描述	1200 V power IGBT chip IGBT 1200V 75A DIE
封装外壳	模具
制造商	Infineon Infineon Technologies AG
中文名称	英飞凌英飞凌科技股份公司
数据手册	原厂下载下载地址下载地址二
更新时间	2025-8-7 8:24:00
人工找货	IGC70T120T8RL价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

IGC70T120T8RL规格书详情

描述 Description

The TRENCHSTOP™ IGBT combines the unique TRENCHSTOP™ and Fieldstop technology and is a benchmark in the industry.

特性 Features

• 1200V TRENCHSTOP™ and Fieldstop technology
• Low switching losses
• Positive temperature coefficient
• Easy paralleling

优势:

简介

IGC70T120T8RL属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IGC70T120T8RL晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

产品编号：
IGC70T120T8RL
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.07V @ 15V，75A
输入类型：
标准
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
模具
供应商器件封装：
模具
描述：
IGBT 1200V 75A DIE

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