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IPC-320	文件：1.04171 Mbytes Page：3 Pages	CompactSizeTowerIPCwith12thGenIntel®Core™iCPUSocket(LGA1700)and250WPSU Features Intel®12thgenerationCore™i9/i7/i5/i3&Pentium®/Celeron®processor withH610Echipset DesignforoperatorIPCandapplicationwithspacelimit DualUSB3.2anddualUSB2.0portonbothfrontandrearside DualIndependentDisplay(HDMI/DP) 2lowprofileExpansionslo	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司	ADVANTECH
IRF320	文件：213.53 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF320	文件：67.83 Kbytes Page：7 Pages	2.8Aand3.3A,350Vand400V,1.8and2.5Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplica	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF320	文件：164.92 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,3.0A,350-400V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighvoltage,highspaedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversanddriversandotherpulsecircuits. •LowRDs(on) •VGS	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF320	文件：48.23 Kbytes Page：2 Pages	StaticDrain-SourceOn-Resistance	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF320	文件：333.66 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP
IRF320	文件：137.47 Kbytes Page：3 Pages	2.8Aand3.3A,350Vand400V,1.8and2.5Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF320LSPBF	文件：277.34 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET VDSS=55V RDS(on)=8.0mΩ ID=110A Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFE	IRF International Rectifier	IRF
IRFD320	文件：50.28 Kbytes Page：6 Pages	0.5A,400V,1.800Ohm,N-ChannelPowerMOSFET Description ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuch	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRFD320	文件：478.9 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=400V,Rds(on)=1.8ohm,Id=0.49A) VDSS=400V RDS(on)=1.8Ω ID=0.49A Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowonresistanceandcost-effectiveness.The4-pinDIPpackageisalow-costmachine-insertableca	IRF International Rectifier	IRF

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