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IGC13T120T8L数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
IGC13T120T8L |
| 参数属性 | IGC13T120T8L 封装/外壳为模具；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 1200V 10A SAWN ON FOIL |
| 功能描述 | 1200 V power IGBT chip |
| 封装外壳 | 模具 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-7 8:24:00 |
| 人工找货 | IGC13T120T8L价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IGC13T120T8L规格书详情
描述 Description
The TRENCHSTOP™ IGBT combines the unique TRENCHSTOP™ and Fieldstop technology and is a benchmark in the industry.
特性 Features
• 1200V TRENCHSTOP™ and Fieldstop technology
• Low switching losses
• Positive temperature coefficient
• Easy paralleling
优势:
简介
IGC13T120T8L属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IGC13T120T8L晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号：
IGC13T120T8LX1SA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列：
TrenchStop™
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.07V @ 15V，8A
- 输入类型：
标准
- 工作温度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
模具
- 供应商器件封装：
模具
- 描述：
IGBT 1200V 10A SAWN ON FOIL
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
2022+ |
模具 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
K-J |
10617 |
只有原装,请来电咨询 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
N/A |
15000 |
英飞凌MOS管、IGBT大量有货 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
2021+ |
45000 |
十年专营原装现货,假一赔十 |
询价 | |||
Infineon Technologies |
25+ |
模具 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
N/A |
9000 |
专业配单,原装正品假一罚十,代理渠道价格优 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | |||
INFINEON |
23+ |
7000 |
询价 | ||||
INFINEON |
24+ |
con |
35960 |
查现货到京北通宇商城 |
询价 |
