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IGB03N120H2 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 INFINEON/英飞凌

IGB03N120H2参考图片

图片仅供参考,请参阅产品规格书

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1+
  • 厂家型号:

    IGB03N120H2

  • 产品分类:

    芯片

  • 生产厂商:

    英飞凌

  • 库存数量:

    5000

  • 产品封装:

    TO-263-3

  • 生产批号:

    24+

  • 库存类型:

    优势库存

  • 更新时间:

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原厂料号:IGB03N120H2品牌:英飞凌

全新、原装

IGB03N120H2是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商英飞凌/Infineon Technologies生产封装TO-263-3/TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB的IGB03N120H2晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

  • 芯片型号:

    IGB03N120H2

  • 规格书:

    下载 下载2

  • 企业简称:

    INFINEON【英飞凌】详情

  • 厂商全称:

    Infineon Technologies AG

  • 中文名称:

    英飞凌科技股份公司

  • 内容页数:

    13 页

  • 文件大小:

    397.57 kb

  • 资料说明:

    HighSpeed 2-Technology

产品属性

更多
  • 类型

    描述

  • 型号

    :IGB03N120H2

  • Technology 

    :IGBT HighSpeed 2

  • Switching Frequency min max

    :30.0kHz 100.0kHz

  • Package 

    :D2PAK (TO-263)

  • Voltage Class max

    :1200.0V

  • IC(@100°) max

    :3.9A

  • IC(@25°) max

    :9.6A

  • ICpuls max

    :9.9A

  • Ptot max

    :62.5W

  • VCE(sat) 

    :2.5V 

  • Eon 

    :0.22mJ 

  • Eoff(Hard Switching) 

    :0.26mJ 

  • td(on) 

    :9.4ns 

  • tr 

    :6.7ns 

  • td(off) 

    :340.0ns 

  • tf 

    :63.0ns 

  • QGate 

    :22.0nC 

  • VCE max

    :1200.0V

  • Switching Frequency 

    :HighSpeed2 30-100 kHz

供应商

  • 企业:

    深圳市天卓伟业电子有限公司

  • 商铺:

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    林小琳

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