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SMDJ26C	文件：204.1 Kbytes Page：5 Pages	丝印：IFD；Package：DO-214AB；SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE Features Uni- and Bi-Directional Versions Available Excellent Clamping Capability Fast Response Time Classification Rating 94V-O Glass Passivated Die Construction Plastic Case Material has UL Flammability 文件：204.1 Kbytes 页数：5 Pages	SUNMATE 森美特	SUNMATE
IFD89	文件：353.83 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel JFET with Diodes Features • InterFET N0014EU Geometry • Low Noise: 5 nV/√Hz Typical • Low Leakage: 2pA Typical • Low Ciss: 2.3pF Typical • RoHS Compliant • SMT, TH, and Bare Die Package options. Applications • Hearing Aids • Mini Microphones • Infrared Detector Amplifiers • Battery Powered Amplifiers 文件：353.83 Kbytes 页数：4 Pages	InterFET	InterFET
IFD03858	文件：198.05 Kbytes Page：4 Pages	Ceramic bandpass filter 文件：198.05 Kbytes 页数：4 Pages	ITF Integrated Technology Future	ITF
IFD04621	文件：148.3 Kbytes Page：4 Pages	Ceramic bandpass filter 文件：148.3 Kbytes 页数：4 Pages	ITF Integrated Technology Future	ITF
IFD06003	文件：179.65 Kbytes Page：4 Pages	Ceramic bandpass filter 文件：179.65 Kbytes 页数：4 Pages	ITF Integrated Technology Future	ITF
IFD08332	文件：125.69 Kbytes Page：4 Pages	Ceramic bandpass filter 文件：125.69 Kbytes 页数：4 Pages	ITF Integrated Technology Future	ITF
IFD08354	文件：107.43 Kbytes Page：3 Pages	Ceramic bandpass filter 文件：107.43 Kbytes 页数：3 Pages	ITF Integrated Technology Future	ITF
IFD08356	文件：144.23 Kbytes Page：4 Pages	Ceramic bandpass filter 文件：144.23 Kbytes 页数：4 Pages	ITF Integrated Technology Future	ITF
IFD08362	文件：138 Kbytes Page：4 Pages	Ceramic bandpass filter 文件：138 Kbytes 页数：4 Pages	ITF Integrated Technology Future	ITF
IFD08622	文件：162.08 Kbytes Page：4 Pages	Ceramic bandpass filter 文件：162.08 Kbytes 页数：4 Pages	ITF Integrated Technology Future	ITF

详细参数

型号：
IFD
功能描述：
TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 TVS Diode SMC Suf MT
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
极性：
Bidirectional
击穿电压：
58.9 V
钳位电压：
77.4 V
峰值浪涌电流：
38.8 A
封装/箱体：
DO-214AB
最小工作温度：
- 55 C
最大工作温度：
+ 150 C

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