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IRFP250	文件：669.63 Kbytes Page：8 Pages	200VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary, planar,DMOStechnology. Features •32A,200V,RDS(on)=0.085Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical95nC) •LowCrss(typical75pF) •Fastswitching •100ava	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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IRFP250

文件：669.63 Kbytes

Page：8 Pages

200VN-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary, planar,DMOStechnology. Features •32A,200V,RDS(on)=0.085Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical95nC) •LowCrss(typical75pF) •Fastswitching •100ava

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

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更多IE250A供应商更新时间2025-7-28 13:31:00

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