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MBR850	文件：64.33 Kbytes Page：2 Pages	8.0ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionfor TransientProtection ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCapability ●HighCurrentCapabilityandLowForward VoltageDrop ●ForUseinLowVoltage,HighFrequency Inverters,FreeWheeling,andPolarity	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MBR850	文件：200.58 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER VOLTAGERANGE:30-100VCURRENT:8.0A FEATURES ◇Highsurgecapacity. ◇Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewheeling,andpolarityprotectionapplications. ◇Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction. ◇Highcurrentcapacity,lowforwardvoltagedrop. ◇Guard	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MBR850	文件：84.23 Kbytes Page：2 Pages	WideTemperatureRangeandHighTjmSchottkyBarrierRectifiers FEATURES Metalofsiliconrectifier,majoritycarrierconducton Guardringfortransientprotection Lowpowerloss,highefficiency Highcurrentcapability,lowVF Highsurgecapacity Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewhelling,andpolarityprotectionapplica	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司	SIRECTIFIER
MBR850	文件：106.87 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS FEATURES ●Metalofsiliconrectifier,majoritycarrierconduction ●Guardringfortransientprotection ●Lowpowerloss,highefficiency ●Highcurrentcapability,lowVF ●Highsurgecapacity ●PlasticpackagehasULflammabilityclassification94V-0 ●Foruseinlowvoltage,highfrequenc	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
MBR850	文件：151.45 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierRectifierReverseVoltage40to200VForwardCurrent8.0A ReverseVoltage40to200V ForwardCurrent8.0A Features •LowPowerLoss，HighEfficiency •LowForwardVoltageDrop •HighCurrentCapability •LeadandbodyaccordingwithRoHSstandard	DACHANGRugao Dachang Electronics Co., Ltd 大昌电子如皋市大昌电子有限公司	DACHANG
MBR850	文件：84.22 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS VOLTAGE40to200VoltsCURRENT8Amperes FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-Outilizing FlameRetardantEpoxyMoldingCompound. •ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 •Lowpowerloss,highefficiency. •Lowforwrdvol	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
MBR850	文件：428.73 Kbytes Page：2 Pages	8.0ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionfor TransientProtection ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCapability ●HighCurrentCapabilityandLowForward VoltageDrop ●ForUseinLowVoltage,HighFrequency Inverters,FreeWheeling,andPolarity	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR850	文件：428.69 Kbytes Page：2 Pages	8.0ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionfor TransientProtection ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCapability ●HighCurrentCapabilityandLowForward VoltageDrop ●ForUseinLowVoltage,HighFrequency Inverters,FreeWheeling,andPolarity	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR850	文件：234.78 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierRectifiers VOLTAGERANGE:30-100VCURRENT:8.0A Features ◇Highsurgecapacity. ◇Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewheeling,andpolarityprotectionapplications. ◇Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction. ◇Highcurrentcapacity,lowforwardvoltagedrop. ◇Thepl	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
MBR850	文件：174.08 Kbytes Page：2 Pages	8.0ASCHOTTKYBARRIERDIODE Features ●ClassificationRating94V-O ●PlasticCaseMaterialhasULFlammability ●GuardRingDieConstruction ●ForUseinLowVoltageApplication ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●IdeallySuitedforAutomaticAssembly ●SchottkyBarrierChip	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC

详细参数

型号：
IE-V850E-MC
制造商：
Renesas Electronics Corporation
功能描述：
Development Tools, Main In Circuit Emulation Board
功能描述：
BD EMULATOR V850E MA1 ICE

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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