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IDW40G120C5B数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-阵列规格书PDF

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厂商型号

IDW40G120C5B

参数属性

IDW40G120C5B 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列;产品描述:DIODE GEN PURP 1200V 55A TO247-3

功能描述

CoolSiC™ Schottky Diode
DIODE GEN PURP 1200V 55A TO247-3

封装外壳

TO-247-3

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 19:37:00

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IDW40G120C5B规格书详情

描述 Description

采用 TO-247-3封装的1200 V, 40 A第五代CoolSiC™ 肖特基二极管 为碳化硅肖特基势垒二极管提供了先进的技术。英飞凌在第二代产品推出时就已引入薄晶圆技术,现在与新的合并 pn 结结合使用,改善了二极管的浪涌能力。由此产生的结果是开发出了一系列产品,以极具吸引力的成本提供了市场领先的效率、更高的系统稳定性。

特性 Features

• 业内出色的正向电压(VF)
• 无反向恢复电荷
• Vf的适度正温度依赖性
• 业内出色的冲击电流能力
• 优异的热性能

优势:
• 高系统效率
• 在低开关频率下实现更高的系统效率
• 在高开关频率下实现更高的功率密度
• 提高系统可靠性
• 降低电磁干扰

应用 Application

• 存储
• 辅助电源

简介

IDW40G120C5B属于分立半导体产品的二极管-整流器-阵列。由制造生产的IDW40G120C5B二极管 - 整流器 - 阵列二极管和整流器阵列系列中的产品可在单个封装内包含两个或多个分立二极管。其特征表述类似于单个分立二极管,并增加了“二极管配置”属性,该属性指示设备中二极管之间任何内部连接的存在情况和特性。请注意,具有全桥配置的阵列被专门排除在外,并列为单独的产品系列。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :IDW40G120C5B

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Product Status

    :active and preferred

  • Technology

    :CoolSiC™ G5

  • Qualification

    :Industrial

  • VDC min

    :1200 V

  • IF max

    :40 A

  • VF

    :1.4 V

  • QC

    :202 nC

  • Package

    :TO-247

  • I(FSM) max

    :290 A

  • IR

    :23 µA

  • CT

    :2592 pF

  • Ptot max

    :402 W

  • RthJC

    :0.3 K/W

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
三年内
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