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IDT71V424S12PHGI	文件：19.28 Kbytes Page：9 Pages	3.3V CMOS STATIC RAM 4 MEG (512K x 8-BIT) DESCRIPTION: The IDT71V424 is a 4,194,304-bit high-speed Static RAM organized as 512K x 8. It is fabricated using IDT’s high-perfomance, high-reliability CMOS technology. This state-of-he-art technology, combined with innovative circuit design techniques, provides a cost-effective solution for hi 文件：19.28 Kbytes 页数：9 Pages	IDT	IDT
IDT71V424S12PHI	文件：19.28 Kbytes Page：9 Pages	3.3V CMOS STATIC RAM 4 MEG (512K x 8-BIT) DESCRIPTION: The IDT71V424 is a 4,194,304-bit high-speed Static RAM organized as 512K x 8. It is fabricated using IDT’s high-perfomance, high-reliability CMOS technology. This state-of-he-art technology, combined with innovative circuit design techniques, provides a cost-effective solution for hi 文件：19.28 Kbytes 页数：9 Pages	IDT	IDT
IDT71V424S12Y	文件：19.28 Kbytes Page：9 Pages	3.3V CMOS STATIC RAM 4 MEG (512K x 8-BIT) DESCRIPTION: The IDT71V424 is a 4,194,304-bit high-speed Static RAM organized as 512K x 8. It is fabricated using IDT’s high-perfomance, high-reliability CMOS technology. This state-of-he-art technology, combined with innovative circuit design techniques, provides a cost-effective solution for hi 文件：19.28 Kbytes 页数：9 Pages	IDT	IDT
IDT71V424S12YG	文件：19.28 Kbytes Page：9 Pages	3.3V CMOS STATIC RAM 4 MEG (512K x 8-BIT) DESCRIPTION: The IDT71V424 is a 4,194,304-bit high-speed Static RAM organized as 512K x 8. It is fabricated using IDT’s high-perfomance, high-reliability CMOS technology. This state-of-he-art technology, combined with innovative circuit design techniques, provides a cost-effective solution for hi 文件：19.28 Kbytes 页数：9 Pages	IDT	IDT

详细参数

型号：
IDT71V424S12PHGI
功能描述：
IC SRAM 4MBIT 12NS 44TSOP
RoHS：
是
类别：
集成电路(IC) >> 存储器
系列：
-
标准包装：
3,000
系列：
- 格式 -
存储器：
EEPROMs - 串行
存储器类型：
EEPROM
存储容量：
32K(4K x 8)
速度：
100kHz，400kHz
接口：
I²C，2 线串口
电源电压：
2.5 V ~ 5.5 V
工作温度：
-40°C ~ 125°C
封装/外壳：
8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商设备封装：
8-SOIC
包装：
带卷(TR)
其它名称：
CAV24C32WE-GT3OSTR

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