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IDT71V424S10PHGI	文件：19.28 Kbytes Page：9 Pages	3.3V CMOS STATIC RAM 4 MEG (512K x 8-BIT) DESCRIPTION: The IDT71V424 is a 4,194,304-bit high-speed Static RAM organized as 512K x 8. It is fabricated using IDT’s high-perfomance, high-reliability CMOS technology. This state-of-he-art technology, combined with innovative circuit design techniques, provides a cost-effective solution for hi 文件：19.28 Kbytes 页数：9 Pages	IDT	IDT
IDT71V424S10PHI	文件：19.28 Kbytes Page：9 Pages	3.3V CMOS STATIC RAM 4 MEG (512K x 8-BIT) DESCRIPTION: The IDT71V424 is a 4,194,304-bit high-speed Static RAM organized as 512K x 8. It is fabricated using IDT’s high-perfomance, high-reliability CMOS technology. This state-of-he-art technology, combined with innovative circuit design techniques, provides a cost-effective solution for hi 文件：19.28 Kbytes 页数：9 Pages	IDT	IDT
IDT71V424S10Y	文件：19.28 Kbytes Page：9 Pages	3.3V CMOS STATIC RAM 4 MEG (512K x 8-BIT) DESCRIPTION: The IDT71V424 is a 4,194,304-bit high-speed Static RAM organized as 512K x 8. It is fabricated using IDT’s high-perfomance, high-reliability CMOS technology. This state-of-he-art technology, combined with innovative circuit design techniques, provides a cost-effective solution for hi 文件：19.28 Kbytes 页数：9 Pages	IDT	IDT
IDT71V424S10YG	文件：19.28 Kbytes Page：9 Pages	3.3V CMOS STATIC RAM 4 MEG (512K x 8-BIT) DESCRIPTION: The IDT71V424 is a 4,194,304-bit high-speed Static RAM organized as 512K x 8. It is fabricated using IDT’s high-perfomance, high-reliability CMOS technology. This state-of-he-art technology, combined with innovative circuit design techniques, provides a cost-effective solution for hi 文件：19.28 Kbytes 页数：9 Pages	IDT	IDT

详细参数

型号：
IDT71V424S10PHGI
功能描述：
IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP
RoHS：
是
类别：
集成电路(IC) >> 存储器
系列：
-
标准包装：
2,000
系列：
MoBL® 格式 -
存储器：
RAM
存储器类型：
SRAM - 异步
存储容量：
16M（2M x 8，1M x 16）
速度：
45ns
接口：
并联
电源电压：
2.2 V ~ 3.6 V
工作温度：
-40°C ~ 85°C
封装/外壳：
48-VFBGA
供应商设备封装：
48-VFBGA（6x8）
包装：
带卷(TR)

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