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IDT71V35761S183BQI中文资料128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect数据手册Renesas规格书

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厂商型号

IDT71V35761S183BQI

参数属性

IDT71V35761S183BQI 封装/外壳为165-TBGA;包装为托盘;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA

功能描述

128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect

封装外壳

165-TBGA

制造商

Renesas Renesas Technology Corp

中文名称

瑞萨 瑞萨科技有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-26 22:59:00

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技术参数

  • 产品编号:

    IDT71V35761S183BQI

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 同步,SDR

  • 存储容量:

    4.5Mb(128K x 36)

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 供电:

    3.135V ~ 3.465V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    165-TBGA

  • 供应商器件封装:

    165-CABGA(13x15)

  • 描述:

    IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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