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IDT71V35761S166BG规格书详情
描述 Description
The IDT71V35761/781 are high-speed SRAMs organized as 128K x 36/256K x 18. The IDT71V35761/781 SRAMs contain write, data, address and control registers. Internal logic allows the SRAM to generate a self-timed write based upon a decision which can be left until the end of the write cycle.
特性 Features
◆128K x 36, 256K x 18 memory configurations
◆Supports high system speed:
Commercial:
– 200MHz 3.1ns clock access time
Commercial and Industrial:
– 183MHz 3.3ns clock access time
– 166MHz 3.5ns clock access time
◆LBOinput selects interleaved or linear burst mode
◆Self-timed write cycle with global write control (GW), byte write enable (BWE), and byte writes (BWx)
◆3.3V core power supply
◆Power down controlled by ZZ input
◆3.3V I/O
◆Optional - Boundary Scan JTAG Interface (IEEE 1149.1 compliant)
◆Packaged in a JEDEC Standard 100-pin plastic thin quad flatpack (TQFP), 119 ball grid array (BGA) and 165 fine pitch ball grid array
技术参数
- 型号：
IDT71V35761S166BG
- 功能描述：
IC SRAM 4MBIT 166MHZ 119BGA
- RoHS：
否
- 类别：
集成电路(IC) >> 存储器
- 系列：
-
- 标准包装：
2,000
- 系列：
MoBL® 格式 -
- 存储器：
RAM
- 存储器类型：
SRAM - 异步
- 存储容量：
16M（2M x 8，1M x 16）
- 速度：
45ns
- 接口：
并联
- 电源电压：
2.2 V ~ 3.6 V
- 工作温度：
-40°C ~ 85°C
- 封装/外壳：
48-VFBGA
- 供应商设备封装：
48-VFBGA（6x8）
- 包装：
带卷(TR)
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IDT |
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