IDT71V35761集成电路（IC）的存储器规格书PDF中文资料

厂商型号	IDT71V35761
参数属性	IDT71V35761 封装/外壳为165-TBGA；包装为托盘；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA
功能描述	128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
封装外壳	165-TBGA
文件大小	282.83 Kbytes
页面数量	22 页
生产厂商	IDT
网址	网址
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-11-16 16:22:00
人工找货	IDT71V35761价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

IDT71V35761规格书详情

描述 Description

The IDT71V35761/781 are high-speed SRAMs organized as 128K x 36/256K x 18. The IDT71V35761/781 SRAMs contain write, data, address and control registers. Internal logic allows the SRAM to generate a self-timed write based upon a decision which can be left until the end of the write cycle.

特性 Features

◆128K x 36, 256K x 18 memory configurations

◆Supports high system speed:

Commercial:

– 200MHz 3.1ns clock access time

Commercial and Industrial:

– 183MHz 3.3ns clock access time

– 166MHz 3.5ns clock access time

◆LBOinput selects interleaved or linear burst mode

◆Self-timed write cycle with global write control (GW), byte write enable (BWE), and byte writes (BWx)

◆3.3V core power supply

◆Power down controlled by ZZ input

◆3.3V I/O

◆Optional - Boundary Scan JTAG Interface (IEEE 1149.1 compliant)

◆Packaged in a JEDEC Standard 100-pin plastic thin quad flatpack (TQFP), 119 ball grid array (BGA) and 165 fine pitch ball grid array

产品属性

产品编号：
IDT71V35761S166BQ8
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 同步，SDR
存储容量：
4.5Mb（128K x 36）
存储器接口：
并联
电压 - 供电：
3.135V ~ 3.465V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
165-TBGA
供应商器件封装：
165-CABGA（13x15）
描述：
IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA

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