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IDT71V256SA15PZ	文件：67.97 Kbytes Page：6 Pages	LOW POWER 3.3V CMOS FAST SRAM 256K (32K x 8-BIT) DESCRIPTION The IDT71V256SA is a 262,144-bit high-speed static RAM organized as 32K x 8. It is fabricated using IDT’s high-performance, high-reliability CMOS technology. FEATURES • Ideal for high-performance processor secondary cache • Commercial (0° to 70°C) and Industrial (-40° to 85°C) 文件：67.97 Kbytes 页数：6 Pages	IDT	IDT
IDT71V256SA15PZI	文件：67.97 Kbytes Page：6 Pages	LOW POWER 3.3V CMOS FAST SRAM 256K (32K x 8-BIT) DESCRIPTION The IDT71V256SA is a 262,144-bit high-speed static RAM organized as 32K x 8. It is fabricated using IDT’s high-performance, high-reliability CMOS technology. FEATURES • Ideal for high-performance processor secondary cache • Commercial (0° to 70°C) and Industrial (-40° to 85°C) 文件：67.97 Kbytes 页数：6 Pages	IDT	IDT
IDT71V256SA15TP	文件：67.97 Kbytes Page：6 Pages	LOW POWER 3.3V CMOS FAST SRAM 256K (32K x 8-BIT) DESCRIPTION The IDT71V256SA is a 262,144-bit high-speed static RAM organized as 32K x 8. It is fabricated using IDT’s high-performance, high-reliability CMOS technology. FEATURES • Ideal for high-performance processor secondary cache • Commercial (0° to 70°C) and Industrial (-40° to 85°C) 文件：67.97 Kbytes 页数：6 Pages	IDT	IDT
IDT71V256SA15Y	文件：67.97 Kbytes Page：6 Pages	LOW POWER 3.3V CMOS FAST SRAM 256K (32K x 8-BIT) DESCRIPTION The IDT71V256SA is a 262,144-bit high-speed static RAM organized as 32K x 8. It is fabricated using IDT’s high-performance, high-reliability CMOS technology. FEATURES • Ideal for high-performance processor secondary cache • Commercial (0° to 70°C) and Industrial (-40° to 85°C) 文件：67.97 Kbytes 页数：6 Pages	IDT	IDT
IDT71V256SA15YI	文件：67.97 Kbytes Page：6 Pages	LOW POWER 3.3V CMOS FAST SRAM 256K (32K x 8-BIT) DESCRIPTION The IDT71V256SA is a 262,144-bit high-speed static RAM organized as 32K x 8. It is fabricated using IDT’s high-performance, high-reliability CMOS technology. FEATURES • Ideal for high-performance processor secondary cache • Commercial (0° to 70°C) and Industrial (-40° to 85°C) 文件：67.97 Kbytes 页数：6 Pages	IDT	IDT
IDT71V256SA15PZG8	文件：478.03 Kbytes Page：8 Pages	Lower Power 3.3V CMOS Fast SRAM 256K (32K x 8-Bit) 文件：478.03 Kbytes 页数：8 Pages	IDT	IDT
IDT71V256SA15PZGI8	文件：478.03 Kbytes Page：8 Pages	Lower Power 3.3V CMOS Fast SRAM 256K (32K x 8-Bit) 文件：478.03 Kbytes 页数：8 Pages	IDT	IDT
IDT71V256SA15YG8	文件：478.03 Kbytes Page：8 Pages	Lower Power 3.3V CMOS Fast SRAM 256K (32K x 8-Bit) 文件：478.03 Kbytes 页数：8 Pages	IDT	IDT
IDT71V256SA15YGI8	文件：478.03 Kbytes Page：8 Pages	Lower Power 3.3V CMOS Fast SRAM 256K (32K x 8-Bit) 文件：478.03 Kbytes 页数：8 Pages	IDT	IDT
IDT71V256SA15PZ8	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：28-TSSOP（0.465"，11.80mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28TSOP	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc

产品属性

产品编号：
IDT71V256SA15YI
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
256Kb（32K x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
15ns
电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
28-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽）
供应商器件封装：
28-SOJ
描述：
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ

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