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IDT71V256SA15YI中文资料PDF规格书
厂商型号 |
IDT71V256SA15YI |
参数属性 | IDT71V256SA15YI 封装/外壳为28-BSOJ(0.300",7.62mm 宽);包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC) > 存储器;产品描述:IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ |
功能描述 | LOW POWER 3.3V CMOS FAST SRAM 256K (32K x 8-BIT) |
文件大小 |
67.97 Kbytes |
页面数量 |
6 页 |
生产厂商 | Integrated Device Technology, Inc. |
企业简称 |
IDT【集成器】 |
中文名称 | 深圳市集成器件技术有限公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-4-29 22:51:00 |
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DESCRIPTION
The IDT71V256SA is a 262,144-bit high-speed static RAM organized as 32K x 8. It is fabricated using IDT’s high-performance, high-reliability CMOS technology.
FEATURES
• Ideal for high-performance processor secondary cache
• Commercial (0° to 70°C) and Industrial (-40° to 85°C)
temperature options
• Fast access times:
— Commercial: 10/12/15/20ns
— Industrial: 15ns
• Low standby current (maximum):
— 2mA full standby
• Small packages for space-efficient layouts:
— 28-pin 300 mil SOJ
— 28-pin 300 mil plastic DIP (Commercial only)
— 28-pin TSOP Type I
• Produced with advanced high-performance CMOS
technology
• Inputs and outputs are LVTTL-compatible
• Single 3.3V(±0.3V) power supply
产品属性
- 产品编号:
IDT71V256SA15YI
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
卷带(TR)
- 存储器类型:
易失
- 存储器格式:
SRAM
- 技术:
SRAM - 异步
- 存储容量:
256Kb(32K x 8)
- 存储器接口:
并联
- 写周期时间 - 字,页:
15ns
- 电压 - 供电:
3V ~ 3.6V
- 工作温度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
28-BSOJ(0.300",7.62mm 宽)
- 供应商器件封装:
28-SOJ
- 描述:
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
n/a |
23+ |
NA |
20000 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
IDT |
2020+ |
SOJ-28 |
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询价 | ||
IDT |
23+ |
NA/ |
2000 |
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询价 | ||
IDT |
24+ |
SOJ28 |
880000 |
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询价 | ||
IDT |
23+ |
TSOP |
9000 |
特价库存 |
询价 | ||
IDT |
23+ |
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9526 |
询价 | |||
IDT |
SOJ28 |
9500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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