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IDT71V124SA10YI	文件：81.33 Kbytes Page：8 Pages	3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power & Ground Pinout Description TheIDT71V124isa1,048,576-bithigh-speedstaticRAMorganizedas128Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-performance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionfor	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT71V124SA10YI	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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71V124SA10PHG	文件：192.06 Kbytes Page：9 Pages	3.3VCMOSStaticRAM1Meg(128Kx8-Bit)CenterPower&GroundPinout Features ◆128Kx8advancedhigh-speedCMOSstaticRAM ◆JEDECrevolutionarypinout(centerpower/GND)for reducednoise ◆Equalaccessandcycletimes –Commercial:10/12/15ns –Industrial:10/12/15ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆InputsandoutputsareLVTTL-compatible	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
71V124SA10PHGI	文件：192.06 Kbytes Page：9 Pages	3.3VCMOSStaticRAM1Meg(128Kx8-Bit)CenterPower&GroundPinout Features ◆128Kx8advancedhigh-speedCMOSstaticRAM ◆JEDECrevolutionarypinout(centerpower/GND)for reducednoise ◆Equalaccessandcycletimes –Commercial:10/12/15ns –Industrial:10/12/15ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆InputsandoutputsareLVTTL-compatible	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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71V124SA10YG	文件：192.06 Kbytes Page：9 Pages	3.3VCMOSStaticRAM1Meg(128Kx8-Bit)CenterPower&GroundPinout Features ◆128Kx8advancedhigh-speedCMOSstaticRAM ◆JEDECrevolutionarypinout(centerpower/GND)for reducednoise ◆Equalaccessandcycletimes –Commercial:10/12/15ns –Industrial:10/12/15ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆InputsandoutputsareLVTTL-compatible	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
IDT71V124SA10	文件：81.33 Kbytes Page：8 Pages	3.3VCMOSStaticRAM1Meg(128Kx8-Bit)CenterPower&GroundPinout Description TheIDT71V124isa1,048,576-bithigh-speedstaticRAMorganizedas128Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-performance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionfor	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT71V124SA10PH	文件：81.33 Kbytes Page：8 Pages	3.3VCMOSStaticRAM1Meg(128Kx8-Bit)CenterPower&GroundPinout Description TheIDT71V124isa1,048,576-bithigh-speedstaticRAMorganizedas128Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-performance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionfor	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT71V124SA10PHI	文件：81.33 Kbytes Page：8 Pages	3.3VCMOSStaticRAM1Meg(128Kx8-Bit)CenterPower&GroundPinout Description TheIDT71V124isa1,048,576-bithigh-speedstaticRAMorganizedas128Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-performance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionfor	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT71V124SA10TY	文件：81.33 Kbytes Page：8 Pages	3.3VCMOSStaticRAM1Meg(128Kx8-Bit)CenterPower&GroundPinout Description TheIDT71V124isa1,048,576-bithigh-speedstaticRAMorganizedas128Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-performance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionfor	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT71V124SA10TYI	文件：81.33 Kbytes Page：8 Pages	3.3VCMOSStaticRAM1Meg(128Kx8-Bit)CenterPower&GroundPinout Description TheIDT71V124isa1,048,576-bithigh-speedstaticRAMorganizedas128Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-performance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionfor	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT71V124SA10Y	文件：81.33 Kbytes Page：8 Pages	3.3VCMOSStaticRAM1Meg(128Kx8-Bit)CenterPower&GroundPinout Description TheIDT71V124isa1,048,576-bithigh-speedstaticRAMorganizedas128Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-performance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionfor	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT

产品属性

产品编号：
IDT71V124SA10YI
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
管件
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
1Mb（128K x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
10ns
电压 - 供电：
3.15V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）
供应商器件封装：
32-SOJ
描述：
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ

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