IDT71T75602S133BGG资料datasheet下载贸易商-114ic电子网

首页 >IDT71T75602S133BGG>规格书列表

零件编号	下载&订购	功能描述	制造商&上传企业	LOGO
71T75602S133BG	文件：260.17 Kbytes Page：26 Pages	2.5VSynchronousZBTSRAMsI/O,BurstCounterPipelinedOutputs	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
71T75602S133BG	文件：348.97 Kbytes Page：28 Pages	512Kx36,1Mx182.5VSynchronousZBT™SRAMs2.5VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs Features ◆512Kx36,1Mx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-200MHz (3.2nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/W	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
71T75602S133BGG	文件：348.97 Kbytes Page：28 Pages	512Kx36,1Mx182.5VSynchronousZBT™SRAMs2.5VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs Features ◆512Kx36,1Mx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-200MHz (3.2nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/W	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
71T75602S133BGG	文件：260.17 Kbytes Page：26 Pages	2.5VSynchronousZBTSRAMsI/O,BurstCounterPipelinedOutputs	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
71T75602S133BGGI	文件：260.17 Kbytes Page：26 Pages	2.5VSynchronousZBTSRAMsI/O,BurstCounterPipelinedOutputs	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
71T75602S133BGGI	文件：348.97 Kbytes Page：28 Pages	512Kx36,1Mx182.5VSynchronousZBT™SRAMs2.5VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs Features ◆512Kx36,1Mx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-200MHz (3.2nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/W	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
71T75602S133BGI	文件：348.97 Kbytes Page：28 Pages	512Kx36,1Mx182.5VSynchronousZBT™SRAMs2.5VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs Features ◆512Kx36,1Mx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-200MHz (3.2nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/W	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
71T75602S133BGI	文件：260.17 Kbytes Page：26 Pages	2.5VSynchronousZBTSRAMsI/O,BurstCounterPipelinedOutputs	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
71T75602S133PFG	文件：260.17 Kbytes Page：26 Pages	2.5VSynchronousZBTSRAMsI/O,BurstCounterPipelinedOutputs	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
71T75602S133PFG	文件：348.97 Kbytes Page：28 Pages	512Kx36,1Mx182.5VSynchronousZBT™SRAMs2.5VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs Features ◆512Kx36,1Mx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-200MHz (3.2nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/W	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
71T75602S133PFGI	文件：348.97 Kbytes Page：28 Pages	512Kx36,1Mx182.5VSynchronousZBT™SRAMs2.5VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs Features ◆512Kx36,1Mx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-200MHz (3.2nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/W	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
71T75602S133PFGI	文件：260.17 Kbytes Page：26 Pages	2.5VSynchronousZBTSRAMsI/O,BurstCounterPipelinedOutputs	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT71T75602S133BG	文件：637.94 Kbytes Page：25 Pages	512Kx36,1Mx182.5VSynchronousZBT??SRAMs2.5VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT71T75602S133BGI	文件：637.94 Kbytes Page：25 Pages	512Kx36,1Mx182.5VSynchronousZBT??SRAMs2.5VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT71T75602S133PF	文件：637.94 Kbytes Page：25 Pages	512Kx36,1Mx182.5VSynchronousZBT??SRAMs2.5VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT71T75602S133PFI	文件：637.94 Kbytes Page：25 Pages	512Kx36,1Mx182.5VSynchronousZBT??SRAMs2.5VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT

详细参数

型号：
IDT71T75602S133BGG
功能描述：
IC SRAM 18MBIT 133MHZ 119BGA
RoHS：
是
类别：
集成电路(IC) >> 存储器
系列：
-
标准包装：
45
系列：
- 格式 -
存储器：
RAM
存储器类型：
SRAM - 双端口，异步
存储容量：
128K（8K x 16）
速度：
15ns
接口：
并联
电源电压：
3 V ~ 3.6 V
工作温度：
0°C ~ 70°C
封装/外壳：
100-LQFP
供应商设备封装：
100-TQFP（14x14）
包装：
托盘
其它名称：
70V25S15PF

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市毅创腾电子科技有限公司	IDT71T75602S133BGG	IDT	23+	119-PBGA(14x22)	71890	专业分销产品!原装正品!价格优势!	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	IDT71T75602S133BGG	IDT	22+	119PBGA (14x22)	9000	原厂渠道,现货配单	询价
深圳市芯福林电子科技有限公司	IDT71T75602S133BGG	IDT	21+	119PBGA (14x22)	13880	公司只售原装,支持实单	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	IDT71T75602S133BGG	IDT	23+	119PBGA (14x22)	9000	原装正品，支持实单	询价
深圳市昌和盛利电子有限公司	IDT71T75602S133BGI	IDT	23+	119BGA	9526		询价
深圳市永贝尔科技有限公司	IDT71T75602S133BGI	IDT	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
深圳市振芯物联科技有限公司	IDT71T75602S133BGI	IDT	22+	BGA/119	32350	原装正品假一罚十公司现货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	IDT71T75602S133BGI	IDT	21+	BGA/119	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市环球伟业电子有限公司	IDT71T75602S133BGI	IDT/Integrated Device Technolo	21+	BGA/119	84	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价
深圳市威雅利发展有限公司	IDT71T75602S133BGI	IDT	1531+	BGA/119	84	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价

更多IDT71T75602S133BGG供应商更新时间2024-5-21 16:30:00

相关规格书

更多

相关库存

更多

客户服务网站合作

Tel：+86-755-8246-9263、8246-9723
Fax：+86-755-8246-9723-808
Email：114ic＠114ic.com
上传库存：stock＠114ic.com
投诉建议：web＠114ic.com

Copyright © 2003-2024 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号