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IDT70V3579S6BF	文件：187.63 Kbytes Page：16 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 32K x 36 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
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70V3579S6BC	文件：506.88 Kbytes Page：18 Pages	HIGH-SPEED3.3V32Kx36SYNCHRONOUSPIPELINEDDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3VOR2.5VINTERFACE Features: ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedclocktodataaccess –Commercial:4.2/5/6ns(max.) –Industrial:5ns(max) ◆Pipelinedoutputmode ◆Counterenableandresetfeatures ◆Dualchipenablesallowfordepthexpan	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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70V3579S6BF	文件：506.88 Kbytes Page：18 Pages	HIGH-SPEED3.3V32Kx36SYNCHRONOUSPIPELINEDDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3VOR2.5VINTERFACE Features: ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedclocktodataaccess –Commercial:4.2/5/6ns(max.) –Industrial:5ns(max) ◆Pipelinedoutputmode ◆Counterenableandresetfeatures ◆Dualchipenablesallowfordepthexpan	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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详细参数

型号：
IDT70V3579S6BF
功能描述：
IC SRAM 1.125MBIT 6NS 208FBGA
RoHS：
否
类别：
集成电路(IC) >> 存储器
系列：
-
标准包装：
3,000
系列：
- 格式 -
存储器：
EEPROMs - 串行
存储器类型：
EEPROM
存储容量：
8K(1K x 8)
速度：
400kHz
接口：
I²C，2 线串口
电源电压：
1.7 V ~ 5.5 V
工作温度：
-40°C ~ 85°C
封装/外壳：
8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商设备封装：
8-SOIC
包装：
带卷(TR)

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更多IDT70V3579S6BF供应商更新时间2024-5-12 15:13:00

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