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70V3569S5BCI8

HIGH-SPEED3.3V16Kx36SYNCHRONOUSPIPELINEDDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3VOR2.5VINTERFACE

Features: ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedclocktodataaccess –Commercial:4.2/5/6ns(max.) –Industrial:5ns(max) ◆Pipelinedoutputmode ◆Counterenableandresetfeatures ◆Dualchipenablesallowfordepthexpan

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

详细参数

  • 型号:

    IDT70V3569S5BCI8

  • 功能描述:

    IC SRAM 576KBIT 5NS 256BGA

  • RoHS:

  • 类别:

    集成电路(IC) >> 存储器

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    - 格式 -

  • 存储器:

    RAM

  • 存储器类型:

    SRAM - 双端口,同步

  • 存储容量:

    1.125M(32K x 36)

  • 速度:

    5ns

  • 接口:

    并联

  • 电源电压:

    3.15 V ~ 3.45 V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C

  • 封装/外壳:

    256-LBGA

  • 供应商设备封装:

    256-CABGA(17x17)

  • 包装:

    带卷(TR)

  • 其它名称:

    70V3579S5BCI8

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IDT
23+
256-CABGA(17x17)
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256BGA
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更多IDT70V3569S5BCI8供应商 更新时间2024-5-26 10:50:00