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IDP30E120数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF

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厂商型号

IDP30E120

参数属性

IDP30E120 封装/外壳为TO-220-2;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO220-2

功能描述

Silicon Power Diode
DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO220-2

封装外壳

TO-220-2

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 23:00:00

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IDP30E120规格书详情

描述 Description

The 1200 V, 30 A emitter controlled silicon power diode in a TO-220 Real 2-leg package displays excellent softness and VF behaviour and is qualified with a Tj(max) of 150°C. The diodes are also available halogen-free according to IEC61249-2-21.

特性 Features

• Lowest VFvalues
• Softest diodes available on the market
• Tj(max)of 175°C
• Qualified according to JEDEC Standard
• Cooler packages and higher efficiency
• Excellent EMI behavior
• Excellent trade-off between cost and performance
• Low conduction losses
• Easy paralleling

优势:

简介

IDP30E120属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的IDP30E120二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :IDP30E120

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Product Status

    :active and preferred

  • Package name

    :PG-TO220-2

  • Green

    :yes

  • Halogen-free

    :yes

  • Voltage Class max

    :1200 V

  • Configuration

    :Single

  • IF max

    :50 A

  • IF

    :30 A

  • I(FSM) max

    :102 A

  • VF max

    :1.65 V

  • VF

    :1.65 V

  • IR max

    :100 µA

  • Irrm

    :23.7 A

  • Qrr

    :2630 nC

  • trr

    :243 ns

  • Ptot max

    :138 W

  • RthJC max

    :0.9 K/W

  • Operating Temperature min

    :-55 °C

  • Operating Temperature max

    :150 °C

  • Mounting

    :THT

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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