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IDP09E120数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF

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厂商型号

IDP09E120

参数属性

IDP09E120 封装/外壳为TO-220-2;包装为卷带(TR)剪切带(CT);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 23A TO220-2

功能描述

Silicon Power Diode
DIODE GEN PURP 1.2KV 23A TO220-2

封装外壳

TO-220-2

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 12:00:00

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IDP09E120规格书详情

描述 Description

The 1200V family displays excellent softness and VF behaviour and is qualified with a T j(max) of 150°C. The diodes are also available halogen-free according to IEC61249-2-21. The special feature of the 1200V family is the availability of the TO-220 Real 2-leg package.

特性 Features

·Lowest V F values
·Softest diodes available on the market
·T j(max) of 175°C
·Qualified according to JEDEC Standard
·Cooler packages and higher efficiency
·Excellent EMI behavior
·Excellent trade-off between cost and performance
·Low conduction losses
·Easy paralleling

应用 Application

    ·Primarily designed for motor drive applications up to 30kHz

简介

IDP09E120属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的IDP09E120二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :IDP09E120

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Configuration 

    :Single

  • IF  (max)

    :9.0A (23.0A)

  • I(FSM) max

    :50.0A

  • VF  (max)

    :1.65V (1.65V)

  • IR max

    :100.0µA

  • Irrm 

    :13.3A 

  • Qrr 

    :950.0nC 

  • trr 

    :140.0ns 

  • Ptot max

    :69.0W

  • RthJC max

    :1.8K/W

  • Operating Temperature min max

    :-55.0°C 150.0°C

  • Mounting 

    :SMT

  • Package 

    :P-TO220-3-45

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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