IDM05G120C5数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF

描述 Description

The CoolSiC™ Schottky diode generation 5 1200 V, 5 A in a DPAK real2pin package, presents a leading edge technology for SiC Schottky Barrier diodes. The thin wafer technology, already introduced with G2, is now combined with a new merged pn junction improving diode surge current capabilities. The result is a series of products delivering market leading efficiency and more system reliability at an attractive cost point.
 
采用 DPAK real2pin 封装的 1200 V, 5 A 第五代CoolSiC™ 肖特基二极管为碳化硅肖特基势垒二极管提供了先进的技术。英飞凌在第二代产品推出时就已引入薄晶圆技术，现在与新的合并 pn 结结合使用，改善了二极管的浪涌能力。由此产生的结果是开发出了一系列产品，以极具吸引力的成本提供了市场领先的效率、更高的系统稳定性。

特性 Features

• 业内出色的正向电压(VF)
• 无反向恢复电荷
• VF 的适度正温度依赖性
• 业内出色的冲击电流能力
• 优异的热性能

优势:
• 高系统效率
• 在低开关频率下实现更高的系统效率
• 在高开关频率下实现更高的功率密度
• 提高系统可靠性
• 降低电磁干扰

应用 Application

• 存储
• 辅助电源

简介

IDM05G120C5属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的IDM05G120C5二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动，并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管（包括齐纳二极管和可变电容二极管）单独列在各自的产品系列中，每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。