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IDP30C65D2中文资料硅二极管数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IDP30C65D2

参数属性

IDP30C65D2 封装/外壳为TO-220-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列;产品描述:DIODE 650V 30A RAPID2 TO220-3

功能描述

硅二极管
DIODE 650V 30A RAPID2 TO220-3

封装外壳

TO-220-3

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-26 9:48:00

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IDP30C65D2规格书详情

描述 Description

快速 2 开关 650 V、30 A 发射极控制功率硅二极管,采用共阴极配置和 TO-220 封装,可实现设计优化,实现更紧凑的尺寸、更轻松的组装,从而降低成本。

特性 Features

• 1.35 V 温度稳定 VF

• 最高柔软度因子:

• 极致柔软度

• 低 EMI 滤波

• 最低 Irrm:

• 升压开关低导通损耗

• 适用于 18 kHz 至 40 kHz 应用

简介

IDP30C65D2属于分立半导体产品的二极管-整流器-阵列。由制造生产的IDP30C65D2二极管 - 整流器 - 阵列二极管和整流器阵列系列中的产品可在单个封装内包含两个或多个分立二极管。其特征表述类似于单个分立二极管,并增加了“二极管配置”属性,该属性指示设备中二极管之间任何内部连接的存在情况和特性。请注意,具有全桥配置的阵列被专门排除在外,并列为单独的产品系列。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :IDP30C65D2

  • 生产厂家

    :Infineon

  • IF

    :15 A

  • IRmax

    :40 µA

  • Irrm

    :5.4 A

  • Ptotmax

    :92 W

  • Qrr

    :0.16 µC

  • RthJCmax

    :1.63 K/W

  • trr

    :42 ns

  • VF

    :1.6 V

  • Mounting

    :THT

  • Package

    :TO-220

  • Operating Temperature

    :-40 °C to 175 °C

  • Voltage Classmax

    :650 V

  • Configuration

    :Common Cathode

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
23+
TO-220
50000
全新原装正品现货,支持订货
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Infineon(英飞凌)
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