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IDH20G120C5	文件：887.64 Kbytes Page：10 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IDK20G120C5	文件：1.05054 Mbytes Page：12 Pages	5thGenerationCoolSiCTM1200VSchottkyDiode Features Revolutionarysemiconductormaterial-SiliconCarbide Noreverserecoverycurrent/noforwardrecovery Temperatureindependentswitchingbehaviour Lowforwardvoltageevenathighoperatingtemperature Tightforwardvoltagedistribution Excellentthermalperformance 	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IDW20G120C5B	文件：593.52 Kbytes Page：10 Pages	Revolutionarysemiconductormaterial-SiliconCarbide	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IDWD20G120C5	文件：1.07604 Mbytes Page：12 Pages	5thGenerationCoolSiCTM1200VSchottkyDiode Features Noreverserecoverycurrent/noforwardrecovery Highsurgecurrentcapability Temperatureindependentswitchingbehaviour Lowforwardvoltageevenathighoperatingtemperature Tightforwardvoltagedistribution Specifieddv/dtruggedness Pb-freeleadplating;RoHS	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

更多IDH20G120C5S供应商更新时间2024-6-21 14:15:00