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IDC51D120T6H数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF

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厂商型号

IDC51D120T6H

参数属性

IDC51D120T6H 包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURPOSE 1.2KV

功能描述

Chip Diode
DIODE GEN PURPOSE 1.2KV

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 22:50:00

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IDC51D120T6H规格书详情

描述 Description

Emitter Controlled Diode is Infineon's unique Fast Recovery Diode technology. The ultrathin wafer and Fieldstop technology makes the Emitter Controlled Diode ideally suited for consumer and industry applications as it lowers the turn-on losses of the IGBT with soft recovery. The Emitter Controlled Diode is optimized for Infineon IGBT technology.

特性 Features

• 1200V Emitter Controlled Diode 4 technology
• Soft, fast switching
• Low reverse recovery charge
• Small temperature coefficient

优势:

应用 Application

•Medium/ high power drives

简介

IDC51D120T6H属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的IDC51D120T6H二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    IDC51D120T6HX7SA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 描述:

    DIODE GEN PURPOSE 1.2KV

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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