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IDC28D120T6M数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF

厂商型号 |
IDC28D120T6M |
参数属性 | IDC28D120T6M 封装/外壳为模具;包装为带盒(TB);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 50A WAFER |
功能描述 | Chip Diode |
封装外壳 | 模具 |
制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-6 18:28:00 |
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IDC28D120T6M规格书详情
描述 Description
发射极控制二极管是英飞凌独特的快速恢复二极管技术。超薄晶圆和场终止技术通过软恢复降低了 IGBT 的通电损耗,使发射极控制二极管非常适用于消费者和工业应用。发射极控制二极管针对英飞凌 IGBT 技术进行了优化。
特性 Features
• 1200V第四代发射极控制二极管技术
• 软, 快速开关
• 低反向恢复电荷
• 低温度系数
优势:
应用 Application
• 低/中功率驱动器
简介
IDC28D120T6M属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的IDC28D120T6M二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。
技术参数
更多- 产品编号:
IDC28D120T6MX1SA2
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 包装:
带盒(TB)
- 二极管类型:
标准
- 电流 - 平均整流 (Io):
50A
- 速度:
标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
模具
- 供应商器件封装:
带箔切割晶片
- 工作温度 - 结:
-40°C ~ 175°C
- 描述:
DIODE GEN PURP 1.2KV 50A WAFER
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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