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IDC28D120T6M数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF

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厂商型号

IDC28D120T6M

参数属性

IDC28D120T6M 封装/外壳为模具;包装为带盒(TB);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 50A WAFER

功能描述

Chip Diode
DIODE GEN PURP 1.2KV 50A WAFER

封装外壳

模具

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 18:28:00

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IDC28D120T6M规格书详情

描述 Description

发射极控制二极管是英飞凌独特的快速恢复二极管技术。超薄晶圆和场终止技术通过软恢复降低了 IGBT 的通电损耗,使发射极控制二极管非常适用于消费者和工业应用。发射极控制二极管针对英飞凌 IGBT 技术进行了优化。

特性 Features

• 1200V第四代发射极控制二极管技术
• 软, 快速开关
• 低反向恢复电荷
• 低温度系数

优势:

应用 Application

• 低/中功率驱动器

简介

IDC28D120T6M属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的IDC28D120T6M二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    IDC28D120T6MX1SA2

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    带盒(TB)

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    50A

  • 速度:

    标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    模具

  • 供应商器件封装:

    带箔切割晶片

  • 工作温度 - 结:

    -40°C ~ 175°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 1.2KV 50A WAFER

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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