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IDC28D120T6M中文资料Chip Diode数据手册Infineon规格书
| 厂商型号 |
IDC28D120T6M |
| 参数属性 | IDC28D120T6M 封装/外壳为模具；包装为带盒（TB）；类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单；产品描述：DIODE GEN PURP 1.2KV 50A WAFER |
| 功能描述 | Chip Diode |
| 封装外壳 | 模具 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-27 16:50:00 |
| 人工找货 | IDC28D120T6M价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IDC28D120T6M规格书详情
描述 Description
发射极控制二极管是英飞凌独特的快速恢复二极管技术。超薄晶圆和场终止技术通过软恢复降低了 IGBT 的通电损耗，使发射极控制二极管非常适用于消费者和工业应用。发射极控制二极管针对英飞凌 IGBT 技术进行了优化。
特性 Features
• 1200V第四代发射极控制二极管技术
• 软, 快速开关
• 低反向恢复电荷
• 低温度系数
优势:
应用 Application
• 低/中功率驱动器
简介
IDC28D120T6M属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的IDC28D120T6M二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动，并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管（包括齐纳二极管和可变电容二极管）单独列在各自的产品系列中，每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。
技术参数
更多- 产品编号：
IDC28D120T6MX1SA2
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 包装：
带盒（TB）
- 二极管类型：
标准
- 电流 - 平均整流 (Io)：
50A
- 速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
模具
- 供应商器件封装：
带箔切割晶片
- 工作温度 - 结：
-40°C ~ 175°C
- 描述：
DIODE GEN PURP 1.2KV 50A WAFER
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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