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IDC21D120T6M中文资料Chip Diode数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IDC21D120T6M

功能描述

Chip Diode

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-26 22:59:00

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IDC21D120T6M规格书详情

描述 Description

发射极控制二极管是英飞凌独特的快速恢复二极管技术。超薄晶圆和场终止技术通过软恢复降低了 IGBT 的通电损耗,使发射极控制二极管非常适用于消费者和工业应用。发射极控制二极管针对英飞凌 IGBT 技术进行了优化。

特性 Features

• 1200V第四代发射极控制二极管技术
• 软, 快速开关
• 低反向恢复电荷
• 低温度系数

优势:

应用 Application

• 低/中功率驱动器

技术参数

  • 型号:

    IDC21D120T6M

  • 制造商:

    INFINEON

  • 制造商全称:

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述:

    Diode EMCON 4 Medium Power Chip

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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